МЭМС / Нано / МСТ

МСТ / МЭМС / Нано

Где бы ни звучала музыка, в наушниках или автомобиле – МЭМС задают тон. Они – драйверы «интернета вещей» (IoT). Они вынуждают создавать новую промышленность ежедневными новыми идеями и применениями. Мы поможем создать технологии для этого, от разработки до готового продукта. 

ТОЛЩИНА ПЛАСТИНЫ / TTV

alt

SEMI-совместимое измерение толщин и TTV

alt

Полная карта толщины пластины в 3D, полированная Si-пластина

alt

4 профиля полированной Si-пластины демонстрируют вариации толщины

ТОПОГРАФИЯ (ФОРМА, СТРУКТУРА)

alt

Стандартное топографическое измерение

alt

Измерение площади модулей выводной рамки (Danfoss SiliconPower GmbH)

alt

Измерение топографии проводящих дорожек

ГЛОБАЛЬНЫЕ / ЛОКАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИНЫ

alt

Измерение глобальных и локальных параметров пластины

alt

Полное 3D-картирование

alt

Картирование пластины с локальными параметрами (LTIR, LTV, LT, LFPD, и т.д.)

ВЫСОТА / ШИРИНА СТУПЕНЬКИ

alt

Измерение высоты / ширины ступеньки

alt

Высота / ширина кварцевой катушки

alt

Измерение профиля вдоль красной линии, анализ высоты / ширины ступеньки

ВЕРТИКАЛЬНЫЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЯ (VIAs) / ПЕРЕХОДНЫЕ ОТВЕРСТИЯ (TSV)

alt

VIAs с высоким соотношением глубина/диаметр (TSV)

alt

Измерение площади TSV (TSV)

alt

Измерение профиля одиночного TSV (глубина, верхний и нижний диаметры)

ГИБРИДНАЯ МЕТРОЛОГИЯ

alt

Комбинация различных датчиков, автоматических расчётов необходимых параметров образца

alt

Комбинация различных датчиков, автоматических расчётов необходимых параметров образца

alt

Пример гибридной метрологии

КАНАВКИ (TRENCHES)

alt

Канавки с высоким соотношением глубины к ширине

alt

Измерение площади пластины с канавками

alt

Измерение профиля одиночной канавки

ИЗГИБ МЕМБРАНЫ

alt

Автоматическое измерение мембраны МЭМС

alt

Измерение площади SiO2-мембраны

alt

Измерение профиля SiO2-мембраны

ТЕРМОНАГРУЗКА

alt

Оптическая метрология при изменении температуры образца

alt

Деформация чипа относительно платы при 30°C

alt

Деформация чипа относительно платы при 120°C

ШАРИКОВЫЕ ВЫВОДЫ (BGA) / BUMPs

alt

Размеры и компланарность

alt

Измерение топографии массива

alt

Измерение профиля вдоль красной линии, анализ высоты и ширины

ШЕРОХОВАТОСТЬ

alt

DIN/ISO-совместимое измерение шероховатости и волнистости

alt

Измерение площади контактной площадки на проводящей плате, Sa = 0,367 μм

alt

Измерение профиля контактной площадки на проводящей плате, Ra=0,096 μм

ТОЛЩИНЫ СЛОЯ / СЛОЁВ

alt

Измерение тонкого слоя/слоёв

alt

Фоторезист на Si-пластине

alt

Толщины слоёв в стопке: слой SiO2 на поликарбонатной подложке

ТОЛЩИНА ПЛАСТИНЫ (ИК)

alt

SEMI-совместимые измерения толщины и TTV

alt

Толщина Si-пластины после шлифовки

alt

Толщина кремниевой мембраны

ИЗГИБ (BOW) / КОРОБЛЕНИЕ (WARP)

alt

SEMI-совместимое измерение изгиба/коробления

alt

Полная 3D-карта изгиба Si-пластины

alt

Топографический профиль верхней поверхности Si-пластины

НАПРЯЖЕНИЯ (STRESS)

alt

Измерение напряжений пластины

alt

Изгиб пластины перед нанесением слоя

alt

Изгиб пластины после нанесения слоя

ЗАКРУГЛЕНИЕ КРАЯ / БОКОВОЙ СРЕЗ

alt

SEMI-совместимое измерение закругления

alt

Значение (RoA) профильного образца

alt

Профиль края Si-пластины