Полупроводники

Halbleiter / Mikroelektronik

Полупроводники

Ключевые слова 3D IC, TSV или FOWLP. В полупроводниковой промышленности мощным потоком постоянно идут инновации, однако новые решения не сразу внедряются. Это отчасти касается применений, которые управляются «интернетом вещей» (IoT) или автомобильной электроникой.

С мультисенсорными приборами ФРТ можно соответствовать высоким скоростям инноваций и оставаться чувствительным к изменению трендов.

ТОЛЩИНА ПЛАСТИНЫ / TTV

alt

SEMI-совместимое измерение толщин и TTV

alt

Полная карта толщины пластины в 3D, полированная Si-пластина

alt

4 профиля полированной Si-пластины демонстрируют вариации толщины

ГЛОБАЛЬНЫЕ / ЛОКАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИНЫ

alt

Измерение глобальных и локальных параметров пластины

alt

Полное 3D-картирование

alt

Картирование пластины с локальными параметрами (LTIR, LTV, LT, LFPD, и т.д.)

ТОЛЩИНЫ СЛОЯ / СЛОЁВ

alt

Измерение тонкого слоя/слоёв

alt

Толщина слоя, SiO2 на Si-пластине

alt

Анализ толщины 500 нм слоя SiO2 на Si-пластине при применении FIT-алгоритма

ГИБРИДНАЯ МЕТРОЛОГИЯ

alt

Комбинация различных датчиков, автоматических расчётов необходимых параметров образца

alt

alt

Пример гибридной метрологии

ШАРИКОВЫЕ ВЫВОДЫ (BUMPs)

alt

Размеры и компланарность

alt

Область измерения массива

alt

Измерение профиля массива

ШЕРОХОВАТОСТЬ

alt

DIN/ISO-совместимое измерение шероховатости и волнистости

alt

Плоскостное измерение полированной Si-пластины, sRa = 0,766 нм

alt

Измерение профиля Si-пластины, Ra = 13,8 нм

ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ СЛОЙ / ТОЛЩИНА / ПУСТОТЫ

alt

Толщина промежуточного слоя, ИК-технология

alt

4 профиля толщины (крестом) по соединённой пластине

alt

Обнаружение пустот между соединёнными слоями

ВЕРТИКАЛЬНЫЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЯ (VIAs) / ПЕРЕХОДНЫЕ ОТВЕРСТИЯ (TSV)

alt

VIAs и TSV с высоким соотношением глубина/диаметр

alt

Плоскостное измерение одиночного TSV

alt

Измерение профиля одиночного TSV (глубина, верхний и нижний диаметры)

КАНАВКИ (TRENCHES)

alt

Канавки с высоким соотношением глубины к ширине

alt

Плоскостное измерение пластины с канавками

alt

Измерение профиля одиночной канавки

ОБНАРУЖЕНИЕ ДЕФЕКТОВ / ОТБРАКОВКА

alt

Обнаружение дефектов

alt

3D-топография Si-пластины с дефектами

alt

3D-топография углубления на Si-пластине

ТОПОГРАФИЯ (ФОРМА, СТРУКТУРА)

alt

Стандартное топографическое измерение

alt

Плоскостное измерение SiO2-мембраны

alt

Измерение профиля SiO2-мембраны

ИЗГИБ (BOW) / КОРОБЛЕНИЕ (WARP)

alt

SEMI-совместимое измерение изгиба/коробления

alt

Полная 3D-карта изгиба Si-пластины

alt

Топографический профиль верхней поверхности Si-пластины

ТОЛЩИНА ПЛАСТИНЫ (ИК)

alt

Измерение толщины пластины и толщины слоя, ИК-технология

alt

Толщина Si-пластины после шлифовки

alt

Толщина Si-мембраны

ОСТАТОЧНАЯ ТОЛЩИНА (RST)

alt

Измерение RST, ИК-технология

alt

Толщина соединённой Si-пластины, приборная пластина перед шлифовкой

alt

Толщина соединённой Si-пластины, приборная пластина после шлифовки/травления

НАПРЯЖЕНИЯ (STRESS)

alt

Измерение напряжений пластины

alt

Изгиб пластины перед нанесением слоя

alt

Изгиб пластины после нанесения слоя

НАНОТОПОГРАФИЯ

alt

Нанотопография полированных и шлифованных пластин

alt

Полное плоскостное измерение 300 мм Si-пластины

alt

Результирующая карта после фильтрации, демонстрирующая характерные признаки нанотопографии

ПИЛООБРАЗНОСТЬ

alt

Автоматическое распознавание пилообразности

alt

Плоскостное измерение пилообразности на Si-пластине

alt

Топография Si-пластины вдоль голубой линии

ЗАКРУГЛЕНИЕ КРАЯ / БОКОВОЙ СРЕЗ

alt

SEMI-совместимое измерение закругления

alt

Значение (RoA) профильного образца

alt

Профиль края Si-пластины

ТЕРМОНАГРУЗКА

alt

Оптическая метрология при изменении температуры образца

alt

Деформация чипа относительно платы при 30°C

alt

Деформация чипа относительно платы при 120°C